06 王紫旌-光伏直拉硅中氧沉淀及其诱生缺陷的研究.pdf

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CSPV会议报告

光伏直拉硅中氧沉淀及其诱生缺陷

王紫旌余学功杨德仁

浙江大学硅材料国家重点实验室

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光伏产业的趋势和现状

（ITRPV2021年presentation）

直拉法(Czochralski，Cz)区熔法(floatzone,Fz）布里兹曼法(Bridgman）

--2--

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直拉硅中的点缺陷

根据Voronkov理论,在晶体生长过程中

，本征点缺陷分布由V/G决定

（V是直拉单晶硅的拉晶速率，G是固

液界面的温度梯度)

目前光伏用直拉硅拉速快，原生点缺陷

类型大多数为空位型

J．Coutinho,etal.PhysicalReviewB，2000，62(16)：10824—10840．--3--

MasatakaHourai,etal.Phys.StatusSolidiA2019,216,1800664.

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氧沉淀的产生

氧来源于坩埚的污染，间隙氧密度

1017-1018cm-3

以间隙氧形式存在，分凝系数1.25，

氧浓度头部高、尾部低

1+SiOVSiO+I

（）+

istress

杨德仁，太阳能电池材料，北京；化学工业出版社，2006：106

A,Borghesi,etal.silicon．JournalofAppliedPhysics，1995:4169-4244.--4--

M．D．Mccluskey．JournalofAppliedPhysics，2000，87(8)：3593-3617．

氧沉淀对电池性能的影响

氧沉淀会使太阳电池的载流子复合活性增强，长波段EQE降低，漏电流升高，JSC、

VOC降低，电池效率降低

L.Chenetal.SolarEnergyMaterialsSolarCells95(2011)3148–3151--5--

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