微电子器件期末复习题含答案.docx

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13级期末复习题库典例解答

电子科技大学/命题

陈卉/转载

王嘉达/整理

【习题压得准五杀跑不了】

微电子器件（陈星弼·第三版）电子工业出版社

◎前言◎

根据统计，课堂测验、课后作业中的题目提纲中无相似题型，请复习提纲的同时在做一次作业以及课堂测验。作业答案、课堂作业答案平时随课堂进度上传群共享，请自行查阅。本答案为个人整理，如有不妥之处望批评指正。计算题部分，实在无能为力，后期会继续上传计算题集锦，敬请期待。

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微电子器件（第三版）陈星弼电子科技大学中山学院/——1

陈卉/题目王嘉达/答案

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厚德博学求是创新

1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为NA=1.5×1016cm-3，则室温下该区的平衡多

子浓度pp0与平衡少子浓度np0分别为(

N

NA=1.5×1016cm-3

)和(

N

NA=1.5×1014cm-3

)。

2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（负）电荷，N区一侧带（正）电荷。内建电

场的方向是从（N）区指向（P）区。[发生漂移运动，空穴向P区，电子向N区]

3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为由此方程可以看

出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（大）。

4、PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（小），内建电场的最大值就越（大），

内建电势Vbi就越（大），反向饱和电流I0就越（小）[P20]，势垒电容CT就越（大），雪崩击穿电压就越（小）。

5、硅突变结内建电势Vbi可表为在室温下的典型值为（0.8V）

6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（减小），势垒区的势垒高度会（降低）。

7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（增大），势垒区的势垒高度会（提高）。

8、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度np与外加电压V之间的关系可表示为

P18。若P型区的掺杂浓度NA=1.5×1017cm-3，外加电压V

=0.52V，则P型区与耗尽区边界上的少子浓度np为（7.35×1025cm-3）。

9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子

浓度（大）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（小）。

10、PN结的正向电流由（空穴扩散）电流、（电子扩散）电流和（势垒区复合）电流

三部分所组成。

11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（多子）；PN结的反向电流

很小，是因为反向电流的电荷来源是（少子）。

微电子器件（第三版）陈星弼电子科技大学中山学院/——2

陈卉/题目王嘉达/答案

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12、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（复

合）。每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（）。

13、PN结扩散电流的表达式为这个表达式在正向电压下可简化为在反向电压下可简化为（Jd=-J）。

14、在PN结的正向电流中，当电压较低时，以（势垒区复合）电流为主；当电压较高

时，以（扩散）电流为主。

15、薄基区二极管是指PN结的某一个或两个中性区的长度小于（该区的少子扩散长度）。

在薄基区二极管中，少子浓度的分布近似为（线性分布）。

16、小注入条件是指注入某区边界附近的（非平衡少子）浓度远小于该区的（平衡多

子）浓度，因此该区总的多子浓度中的（非平衡）多子浓度可以忽略。

17、大注入条件是指注入某区边界附近的（非平衡少子）浓度远大于该区的（平衡多

子）浓度，因此该区总的多子浓度中的（平衡）多子浓度可以忽略。

18、势垒电容反映的是PN结的（微分）电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度

越高，则势垒电容就越（大）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（小）。

19、扩散电容反映的是PN结的（非平衡载流子）电荷随外加电压的变化率。正向

电流越大，则扩散电容就越（大）；少子寿命越长，则扩散电容就越（大）。【P51】

20、在PN结开关管中，在外加电压从正向变为反向后的一段时间