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NCE2060K
NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET
Description
TheNCE2060Kusesadvancedtrenchtechnologyand
designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It
canbeusedinawidevarietyofapplications.
GeneralFeatures
●V20V,I60A
DSD
RDS(ON)6mΩ@VGS4.5VSchematicdiagram
RDS(ON)9mΩ@VGS2.5V
●HighdensitycelldesignforultralowRdson
●Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent
●GoodstabilityanduniformitywithhighEAS
●Excellentpackageforgoodheatdissipation
Application
●Loadswitching
●HardswitchedandhighfrequencycircuitsMarkingandpinassignment
●Uninterruptiblepowersupply
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100%ΔVdsTESTED!
TO-252-2Ltopview
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity
NCE2060KNCE2060KTO-252-2L---
AbsoluteMaximumRatings(T25unlessotherwisenoted)
C℃
ParameterSymbolLimitUnit
Drain-SourceVoltageVDS20V
Gate-SourceVoltageVGS±12V
DrainCurrent-ContinuousID60A
DrainCurrent-Continuous(T100℃)I(100℃)42
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