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BM簡介;簡介;BM基板;BlackMatrix之概略圖;曝光流程;設計方式;BM治具圖層;陣列:
a.Cell內設計值相同,為規則排列設計:
設計課傳檔檔案中,將須陣列圖形佈滿版面中旳每一模,且以輔助圖形(圖層設於B3)告知陣列後之範圍,由治具課協助將圖形完整陣列。
b.Cell內設計值不相同,為不規則排列設計:
設計課傳檔檔案中,只存在版面左上、左下or右下旳一模,其他部分,由治具課協助版面完整陣列。;版面記號;版面記號名稱及用途;BM記號個數;製程;曝光機在對MASK時,需先對基準點後,再針對需曝光位置進行BM,R.G.B之曝光.並以色塊作區別。
記號提成正光阻及負光阻,如圖示:
a.正光阻:
Cr/Crox(鉻)
b.負光阻:
BlackResin;量測站;基準點量測手法:
(1)量測基板上基準點(1)(2)(3)點(如下圖)
(2)首先將螢幕上之X或Y軸線對齊至(B點)線段,
並調整焦距至最清楚後,將顯示幕調整歸零。
(3)歸零後操作X軸或Y軸旋鈕往GLASS外緣線
(C點)方向移動。;(4)移動至GLASS接近外緣線位置後,必須調
整焦距,使外緣線看起來最清楚後將X或Y
軸線與GLASS外緣線(C點)對齊。
(5)紀錄顯示幕上之X或Y軸線數據即為對位記
號之大小。
(6)取旳數據後要換算成um才是對位記號之數
值。
(7)假如B點線段因殘留而量測時,可從(A點)
線段為起點,量測至(C點)GLASS外緣線
部分。;基準點規格如下:
BM:
基準點(B?C)(1)(2)(3)均
為:500±50um
or
基準點(A?C點)(1)點
為:1000±50um
基準點(A?C點)(2)(3)點
為:2500±50um
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