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CMW60R070DFD
600VSJMOS
MOSFETSiliconN-ChannelMOS
1Description
Features
⚫Ultra-fastbodydiode
⚫Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.065Ω(typ.)
⚫Easytodrive
⚫Pb-freeplating,HalogenfreemoldcompoundandmeetRoHSrequirement
Applications
⚫ForSoftSwitchingBoostPFCswitch,HBorAHBorLLChalfbridgeandfullbridge
topologies.
⚫Suchasphase-shift-bridge(ZVS),LLCApplication-ServerPower,TelecomPower,EV
Charging,Solarinverter.
Table1KeyPerformanceParameters
ParameterValueUnit
VDS@Tj,max650V
RDS(on),max70mΩ
Qg,typ95nC
ID,pulse130A
Bodydiodedv/dt50V/ns
PackagingandInternalCircuit
PartNamePackageMarkingPackingMethodQTY/BOX
CMW60R070DFDTO-247CMW60R070DFDTube1200PCS
Rev1.0ShenzhenICMSemiconductorCo.Ltd.1/12
CMW60R070DFD
2Maximumratings
atTj=25°C,unlessotherwisespecified
Table2Maximumratings
ParameterSymbolValueUnitNote/TestCondition
Min.Typ.Max.
Co
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