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电子技术基础l练习习题答案--第1页
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第1章检测题（共100分，120分钟）
一、填空题：（每空0.5分，共25分）
1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多
数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是
在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少
数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极
管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的
扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方
向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和
电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半
导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间
电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，
对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大
时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被
击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的
反向击穿区。
二、判断正误：（每小题1分，共10分）
1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错）
2、自由电子载流子填补空穴的复合”运动产生空穴载流子。（对）
3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（错）
4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。（PN结反向偏置时，其内外电场方向一致）（错）
5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错）
6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。（对）
7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。（错）
8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I时，该管必被击穿。（错）
CM
9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。（错）
10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。（错）
-优选
电子技术基础l练习习题答案--第1页
电子技术基础l练习习题答案--第2页
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三、选择题：（每小题2分，共20分）
1、单极型半导体器件是（C）。
A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。
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