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第五章

存储系统及半导体存储器

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半导体存储器的分类

主随机存取存储器

要

只读存储器

内

CPU与存储器的连接

容

微机中存储系统的结构

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随机存取存储器

半

导双极性半导体RAM

体动态金属氧化物〔MOS)RAM

存读写存储器

储

器掩膜式ROM

的可编程

分

ROM(PROM,Programmable

类

ROM)

可擦除的PROM〔EPROM，

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静态RAM〔SRAM)

根本的存储电路

随

机

存

取

存

储

器

典型的静态RAM芯片

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6116〔2KB×8位〕、6264〔

动态RAM〔DRAM)

单管动态存储电路

随

机

存

取

存

储

器

动态RAM的刷新

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动态RAM〔DRAM)

64K位动态RAM存储器

随芯片2164A的容量为64K×1位，

机即片内共有64K〔65536〕个地址单

存元，每个地址单元存放一位数据。

取需要16条地址线，地址线分为两局

存部：行地址与列地址。

储芯片的地址引线只要8条，内部设

器有地址锁存器，利用多路开关，由

行地址选通信号变低〔Row

AddressStrobe〕，把先出现的8位

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地址，送至行地址锁存器；由随后

64K存储体由4个128×128的存储矩阵构成。每

个128×128的存储矩阵，有7条行地址和7条列

地址线进行选择。7条行地址经过译码产生128

随

条选择线，分别选择128行；7条列地址线经过

机译码也产生128条选择线，分别选择128列。

存

取

存

储

器

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锁存在行地址锁存器中的7位行地RA6

～RA0同时加到4个存储矩阵上，在每个

随矩阵中