二维氧化铈负载的单原子铜对硫化氢解离的密度泛函理论研究.docx

二维氧化铈负载的单原子铜对硫化氢解离的密度泛函理论研究

摘要：采用密度泛函理论的方法研究二维CeO2(110)负载单原子Cu的稳定吸附结构，H2S，HS和S在该稳定结构上的吸附和H2S小分子的解离过程，研究结果表明：(1)单原子Cu在CeO2(110)的最稳定的吸附位是O-O桥位，O-O桥位发生一定的变形，表现为凸起，两个Cu—O键长分别为1.835?，1.834?，吸附能为-2.42eV；(2)H2S，HS和S在负载单原子Cu的二维CeO2(110)上的吸附，S的吸附最稳定。(3)H2S的解离路径为H2S→SH+H→S+2H，第二步的解离为决速步。

关键词：密度泛函理论；二维Ce