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蓝光LED芯片背崩实验研究
摘要:在蓝光LED芯片的制作流程中,主要是以蓝宝石为衬底生长GaN(氮化镓)材料来制造。因为在长GaN时会产生较大应力至产品翘曲的关系,所以需要采用具有一定厚度的衬底。但是在芯片终端应用上必须用一颗颗具有高散热性、高反射率的晶粒,所以芯片需要经过减薄、切割等工序来实现。由于减薄过程对芯片造成的粗糙表面,在切割站进行劈裂时容易造成芯片背崩,本文针对这个问题对如何降低芯片背面粗糙度进行研究,发现通过对研磨站中研磨机,抛光机的研磨材料,转速,进给,压力等进行改变能有效降低芯片背崩率,这应用于企业实际生产中能有效地提高产品经济效益。
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