MOT6N65F深圳恒锐丰科技.pdf

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MOTMOT6N65F

650VGaNN-CHANNELMOSFET

PRODUCTCHARACTERISTICSSymbol

VDSS650V

Drain

RDS(ON)-Max350mΩ

ID6A

APPLICATIONSGate

AC-DCconverters

DC-DCconverters

5GIindustrialcontrolSource

Fastbatterycharging

Highdensitypowerconversionfor5GPDFN5060-8L

Highefficiencypowerconversionfor5G

FEATURES

LowerRDS(ON)toMinimizeConduction

Losses

ReliableandRugged

ROHSCompliantHalogen-Free

100%UISandRgTested

ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(T=25°CUnlessOtherwiseNoted)

ParameterSymbolValueUnitTestcondition

VGS=0V,

DrainsourcevoltageVDS,max650V

Tj=-55°Cto150°C

Drainsourcevoltagetransient1VDS,transient800VVGS=0V

Tj=25°C;totaltime10h

Drainsourcevoltage,pulsed2

专注MOS

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