HFF5N65深圳恒锐丰科技+N+650V+5A+MOS+TO-220FP.pdf

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HFF5N65

N-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features

650V,5AFastSwitching

RDS(YTP)2.35Ω@VGS10VImproveddv/dtCapability

Applications

LoadSwitchPowermanagement

PWMApplication

TO-220FPPinConfiguration

AbsoluteMaximumRatings(TC25℃unlessotherwisespecified)

SymbolParameterMax.Units

VDSSDrain-SourceVoltage650V

VGSSGate-SourceVoltage±30V

TC25℃5A

IDContinuousDrainCurrent

TC100℃3.2A

IDMPulsedDrainCurrentnote118A

EASSinglePulsedAvalancheEnergynote2199mJ

PDPowerDissipationTC25℃33W

RθJCThermalResistance,JunctiontoCase3.8℃/W

RθJAThermalResistance,JunctiontoAmbient62.5℃/W

TJ,TSTGOperatingandStorageTemperatureRange-55to+150℃

第页共页深圳市黑锋科技有限公司

HFF5N65

N-channelEnhancementModePowerMOSFET

ElectricalCharacteristics

TJ25°C,unlessotherwisenoted

专注MOS

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