HFD30P06深圳恒锐丰科技+P+60V+MOS+TO-252.pdf

1、本文档共6页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

HFD30P06

P-Ch60VFastSwitchingMOSFETS

Description

TheHFD30P06isthehighcelldensitytrenchedP-chMOSFETs,whichprovideexcellent

RDSONandgatechargeformostofthesynchronousbuckconverterapplications.

TheHFD30P06meettheRoHSandGreenProductrequirement,100%EASguaranteedwith

fullfunctionreliabilityapproved.

Features

100%EASGuaranteedExcellentAdv/ateffectdecline

GreenDeviceAvailableAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology

SuperLowGateCharge

ProductSummary

BVDSSRDSONID

-60V38mΩ-30A

TO-252PinConfiguration

第页共页深圳市黑锋科技有限公司

HFD30P06

P-Ch60VFastSwitchingMOSFETS

ElectricalCharacteristics

TJ25°C,unlessotherwisenoted

SymbolParameterConditionsMinTypMaxUnit

On/OffStates

BVDSSDrain-SourceBreakdownVoltageVGS0VID-250μA-60V

IDSSZeroGateVoltageDrainCurrentVDS-60V,VGS0V-1μA

IGSSGate-BodyLeakageCurrentVGS±20V,VDS0V±100nA

VGS(th)GateThresholdVoltageVDSVGS,ID-250μA-1-1.8-2.5V

gFSForwardTransconductanceVDS-5V,ID-15A35S

专注MOS

咨询Ta 进入空间

更多 >