AP120N12D深圳恒锐丰科技+120A+120V+TO-252-3L.pdf

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AP120N12D

120VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP120N12DusesadvancedSGTIItechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

deviceissuitableforuseasa

BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=120VI120A

DSD

RDS(ON)6.8mΩ@VGS=10V（Type：5.8mΩ）

Application

Mobilephonefastcharging

Brushlessmotor

Homeappliancecontrolboard

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP120N12DTO-252-3LAP120N12DXXXYYYY5000

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterValueUnit

VDSDrainsourcevoltage120V

VGSGatesourcevoltage±20V

I@T=25℃Continuousdraincurrent1),T=25℃120A

DAC

I@T=70℃Continuousdraincurrent1),T75℃57A

DAC

Pulseddraincurrent2),T=25℃360A

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