AP30N15NF深圳恒锐丰科技+30A+150V+PDFN5X6-8L.pdf

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AP30N15NF

150VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP30N15NFusesadvancedAPM-SGTIItechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas10V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=150VI30A

DSD

RDS(ON)56mΩ@VGS=10V（Type：47mΩ）

Application

Automativelighting

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP30N15NFPDFN5*6-8LAP30N15NFXXXYYYY5000

AbsoluteMaximumRatings(TC=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage150V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent30A

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent16A

IDMPulsedDrainCu

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