AP110N08PT深圳恒锐丰科技+110A+85V+TO-220+TO-263.pdf

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AP110N08PIT

85VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP110N08P/Tusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas10V.

ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=85VI110A

DSD

RDS(ON)6.5mΩVGS10V（Type：5.2mΩ）

Application

Batteryprotection

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP110N08PTO-220-3LAP110N08PXXXYYYY1000

AP110N08TTO-263-3LAP110N08TXXXYYYY800

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage85V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V110A

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V77A

IDMPulsedDrainCurrent450A

EASSinglePulseAvalancheEnergy552

专注MOS

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