AGM14N10MNA-K3 VER2.5深圳恒锐丰科技.pdf

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2024-09-30 发布于广东
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AGM14N10MNA-K3 VER2.5深圳恒锐丰科技.pdf

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AGM14N10MNA-K3

●GeneralDescription

TheAGM14N10MNA-K3combinesadvancedtrenchProductSummary

MOSFETtechnologywithalowresistancepackageto

provideextremelylowRDS(ON).

BVDSSRDSONID

Thisdeviceisidealforloadswitchandbattery

protectionapplications.100V12mΩ50A

●Features

100V30mΩ28A

■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology

■LowRDS(ON)tominimizeconductivelossPDFN5*6PinConfiguration

■LowGateChargeforfastswitching

■LowThermalresistance

■100%Avalanchetested

■100%DVDStested

●Application

■MB/VGAVcore

■SMPS2SynchronousRectifier

■POLapplication

■BLDCMotordriver

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

AGM14N10MNAAGM14N10MNA-K3PDFN5*6330mm12mm3000

Table1.AbsoluteMaximumRatings(TA25)

℃

Rating

SymbolParameterN1-ChN2-ChUnits

VDSDrain-SourceVoltage(VGS0V）100100V

Gate-SourceVoltage(V0V)±20±20V

VGSDS

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