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AGM3N120H
●GeneralDescription
ProductSummary
TheAGM3N120Hcombinesadvancedtrench
MOSFETtechnologywithalowresistancepackage
toprovideextremelylowRDS(ON).
ThisdeviceisidealforloadswitchandbatteryBVDSSRDSONID
protectionapplications.
●Features1200V6Ω3.0A
■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology
TO-263PinConfiguration
■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss
■LowGateChargeforfastswitching
■LowThermalresistance
■100%Avalanchetested
■100%DVDStested
●Application
■ElectronicBallast
■ElectronicTransformer
■SwitchModePowerSupply
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity
AGM3N120HAGM3N120HTO-263330mm16mm800
Table1.AbsoluteMaximumRatings(TA25)
℃
SymbolParameterValueUnit
VDSDrain-SourceVoltage(VGS0V）1200V
VGSGate-SourceVoltage(VDS0V)±30V
IDDrainCurrent-Continuous(Tc25℃)(Note1)3.0A
DrainCurrent-Continuous(Tc100℃)2.0
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