多芯片倒装先蚀刻后封装无基岛封装结构及其制造方法.pdfVIP

多芯片倒装先蚀刻后封装无基岛封装结构及其制造方法--第1页

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN102856271A

(43)申请公布日2013.01.02

(21)申请号CN201210140801.9

(22)申请日2012.05.09

(71)申请人江苏长电科技股份有限公司

地址214434江苏省无锡市江阴市开发区滨江中路275号

(72)发明人王新潮李维平梁志忠

(74)专利代理机构江阴市同盛专利事务所

代理人唐纫兰

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

多芯片倒装先蚀刻后封装无基岛封

装结构及其制造方法

(57)摘要

本发明涉及一种多芯片倒装先蚀刻

后封装无基岛封装结构及其制造方法，所

述结构包括引脚（1）和芯片（2），所述

芯片（2）有多个，所述多个芯片（2）倒

装于引脚（1）正面，所述芯片（2）底部

与引脚（1）正面之间设置有底部填充胶

（13），所述引脚（1）外围的区域、引脚

多芯片倒装先蚀刻后封装无基岛封装结构及其制造方法--第1页

多芯片倒装先蚀刻后封装无基岛封装结构及其制造方法--第2页

（1）与引脚（1）之间的区域、引脚（1）

上部和引脚（1）下部的区域以及芯片

（2）外均包封有塑封料（3），所述引脚

（1）下部的塑封料（3）表面上开设有小

孔（4），所述小孔（4）与引脚（1）背面

相连通，所述小孔（4）内设置有金属球

（6），所述金属球（6）与引脚（1）背面

相接触。本发明的有益效果是：降低了制

造成本，提高了封装体的安全性和可靠

性，能够真正做到高密度线路的设计和制

造。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

多芯片倒装先蚀刻后封装无基岛封装结构及其制造方法--第2页

多芯片倒装先蚀刻后封装无基岛封装结构及其制造方法--第3页

权利要求说明书

1.一种多芯片倒装先蚀刻后封装无基岛封装结构，其特征在于：它包括引脚（1）

和芯片（2），所述芯片（2）有多个，所述多个芯片（2）倒装于引脚（1）正面，

所述芯片（2）底部与引脚（1）正面之间设置有底部填充胶（13），所述引脚（1）

外围的区域、引脚（1）与引脚（1）之间的区域、引脚（1）上部和引脚（1）下部

的区域以及芯片（2）外均包封有塑封料（3），所述引脚（1）下部的塑封料（3）

表面上开设有小孔（4），所述小孔（4）与引脚（1）背面相连通，所述小孔（4）

内设置有金属球（6），所述金属球（6）与引脚（1）背面相接触。

2.一种如权利要求1所述的多芯片倒装先蚀刻后封装无基岛封装结构的制造方法，

其特征在于所述方法包括以下工艺步骤：

步骤一、取金属基板

步骤二、金属基板表面预镀铜材

在金属基板表面电镀一层铜材薄膜，

步骤三、贴光阻膜作业

利用贴光阻膜设备在完成预镀铜材薄膜的金属基板正面及背面进行光阻膜的被覆，

步骤四、金属基板背面去除部分光阻膜

利用