HFD30N02深圳恒锐丰科技+N+20V+MOS+TO-252.pdf

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HFD30N02

N-Ch20VFastSwitchingMOSFETS

Description

TheHFD30N02isthehighcelldensitytrenchedN-chMOSFETs,whichprovideexcellent

RDSONandgatechargeformostofthesynchronousbuckconverterapplications.

TheHFD30N02meettheRoHSandGreenProductrequirement,100%EASguaranteedwith

fullfunctionreliabilityapproved.

Features

100%EASGuaranteedExcellentAdv/ateffectdecline

GreenDeviceAvailableAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology

SuperLowGateCharge

ProductSummary

BVDSSRDSONID

20V12mΩ30A

TO-252PinConfiguration

第页共页深圳市黑锋科技有限公司

HFD30N02

N-Ch20VFastSwitchingMOSFETS

ElectricalCharacteristics

TJ25°C,unlessotherwisenoted

ParameterSymbolTestConditionMin.Typ.Max.Unit

StaticCharacteristics

Drain-SourceBreakdownVoltageBVDSSVGS0V,ID250µA20--V

VGS±12V,VDS0

GateLeakageCurrentIGSS--±100nA

DrainCut-offCurrentIDSSVDS20V,VGS0V--1µA

VGSVDS,

GateThresholdVoltageVGS(t

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