HFM80N06深圳恒锐丰科技+N+60V+MOS+PDFN5×6-8.pdf

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HFM80N06

N-Ch60VFastSwitchingMOSFETS

Description

TheHFM80N06isthehighcelldensitytrenchedN-chMOSFETs,whichprovideexcellent

RDSONandgatechargeformostofthesynchronousbuckconverterapplications.

TheHFM80N06meettheRoHSandGreenProductrequirement,100%EASguaranteedwithfull

functionreliabilityapproved.

Features

SuperLowGateChargeExcellentCdV/dteffectdecline

100%EASGuaranteedAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology

GreenDeviceAvailable

ProductSummary

BVDSSRDSONID

60V12mΩ80A

PRPAK5X6PinConfiguration

第页共页深圳市黑锋科技有限公司

HFM80N06

N-Ch60VFastSwitchingMOSFETS

ElectricalCharacteristics

TJ25°C,unlessotherwisenoted

SymbolParameterTestConditionMin.Typ.Max.Units

OffCharacteristic

VDrain-SourceBreakdownVoltageV0V,I250μA60--V

(BR)DSSGSD

IDSSZeroGateVoltageDrainCurrentVDS60V,VGS0V,--1.0μA

IGSSGatetoBodyLeakageCurrentVDS0V,VGS±20V--±100nA

OnCharacteristics

VGateThresholdVoltageVV,I250μA1.01.62.5V

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