APH30N15D深圳恒锐丰科技+30A+150V+TO252-3L.pdf

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APH30N15D

150VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAPH30N15DusesadvancedAPM-SGTIItechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas10V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=150VI30A

DSD

RDS(ON)56mΩ@VGS=10V（Type：47mΩ）High

Temperatu

Application

Automativelighting

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

TSTG/T：-55°To175°

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

APH30N15DTO-252-3LAPH30N15DXXXYYYY2500

AbsoluteMaximumRatings(TC=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage150V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent30A

I@T=10

专注MOS

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