AP100N08PT深圳恒锐丰科技++100A+80V+TO-220-3L+TO-263-3L.pdf

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AP100N08PIT

85VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP100N08P/TusesadvancedAPM-SGTIItechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas10V.

ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=85VI100A

DSD

RDS(ON)5.8mΩVGS10V（Type：4.8mΩ）

Application

Batteryprotection

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP100N08PTO-220-3LAP100N08PXXXYYYY1000

AP100N08TTO-263-3LAP100N08TXXXYYYY800

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage85V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,V@10V100A

DCGS

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,V@10V86A

DCGS

IDMPulsedDrainCurrent

专注MOS

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