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AP15V02S
-20VP+P-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP15V02Susesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=-20VI-15A
DSD
RDS(ON)16mΩ@VGS=4.5V（Type：13mΩ）
Application
Lithiumbatteryprotection
Wirelessimpact
Mobilephonefastcharging
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
AP15V02SSOP-8LAP15V02SXXXYYYY3000
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
A
SymbolParameterRatingUnits
VDSDrain-SourceVoltage-20V
VGSGate-SourceVoltage±12V
1
I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,-VGS@-10V-15A
DA
1
I@T=70℃ContinuousDrainCurrent,-VGS@-10V-9A
DA
2
IDM
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