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永源微电子科技有限公司
AP8G02BLI
8A20VN+P高频无线充场效应管晶体管
简介：
AP8G02BLI是一颗针对无线充N+P全桥高频电路高性价比产品，使用的是第三代沟槽技术，优化NPCiss
电容数据和RDS，具备超高的性价比。
适配主控型号：
国内所有市场主流MCU无线充方案系列。
市场应用：
磁吸无线充，移动电源15W无线充
AP8G02BLI
20VN+P-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP8G02BLIusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas2.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=20VI=8.5A
DSD
RDS(ON)28mΩ@VGS4.5V（Type：24mΩ）
V=-20VI-7.6A
DSD
RDS(ON)35mΩ@VGS-4.5V（Type：29mΩ）
Application
BLDC
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
AP8G02BLISOT23-6LAP8G02BLI3000
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C
SymbolParameterN-ChP-ChUnits
VDSDrain-SourceVoltage20-20V
VGSGate-SourceVoltage±12±12V
I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V18.5-7.6A
DA
I@T=70℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V16.2-5.3A
DA
IDMPu
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