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AP120P06NF
-60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP120P06NFusesadvancedAPM-SGTⅠtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas6V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=-60VI-120A
DSD
RDS(ON)6.5mΩ@VGS-10V(Type:5.0mΩ)
Application
Lithiumbatteryprotection
Wirelessimpact
Mobilephonefastcharging
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
AP120P06NFPDFN5X6-8LAP120P06NFXXXYYYY5000
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C
SymbolParameterRatingUnits
VDSDrain-SourceVoltage-60V
VGSGate-SourceVoltage±20V
1
I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,-VGS@-10V-120A
DC
1
I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,-VGS@-10V-70A
DC
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