原创力文档- 1、本文档共6页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
HFD100N03
N-Ch30VFastSwitchingMOSFETS
Description
TheHFD100N03isthehighcelldensitytrenchedN-chMOSFETs,whichprovideexcellent
RDSONandgatechargeformostofthesynchronousbuckconverterapplications.
TheHFD100N03meettheRoHSandGreenProductrequirement,100%EASguaranteedwith
fullfunctionreliabilityapproved.
Features
100%EASGuaranteedExcellentAdv/ateffectdecline
GreenDeviceAvailableAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology
SuperLowGateCharge
ProductSummary
BVDSSRDSONID
30V3.5mΩ100A
TO-252PinConfiguration
AbsoluteMaximumRatings
SymbolParameterRatingUnits
VDSSDrain-SourceVoltage30V
VGSSGate-SourceVoltage±20V
TC25℃100A
IDContinuousDrainCurrent
TC100℃65A
IDMPulsedDrainCurrentnote1400A
EASSinglePulsedAvalancheEnergynote295mJ
PDPowerDissipationTC25℃80W
RθJCThermalResistance,JunctiontoCase1.9℃/W
TJ,TSTGOperatingandStorageTemperatureRange-55to+175℃
16
您可能关注的文档
- AP30N10D深圳恒锐丰科技++++30A+100V+TO-252-3L.pdf
- AP300N10T深圳恒锐丰科技+300A+100V+TO-263-3L.pdf
- AP300N10T6深圳恒锐丰科技+300A+100V+TO263-6L.pdf
- APH300N10TLG2深圳恒锐丰科技+300A+100V+TOLLA-8L.pdf
- AP130N10PT深圳恒锐丰科技+130A+100V+TO-220-3L+TO-263-3L.pdf
- APG130N10NF深圳恒锐丰科技+130A+100V+PDFN5X6-8L.pdf
- AP240N08PT深圳恒锐丰科技+240A+80V+TO-220-3L+TO-263-3L.pdf
- AP140N08NF深圳恒锐丰科技++140A+80V+PDFN5X6-8L.pdf
- AP400N08T6深圳恒锐丰科技+400A+80V+TO-263-3L.pdf
- AP400N08MP深圳恒锐丰科技+400A+80V+TO247-3L.pdf
文档评论（0）