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HFD60N02B
N-Ch20VFastSwitchingMOSFETS
Description
TheHFD60N02BisthehighcelldensitytrenchedN-chMOSFETs,whichprovideexcellent
RDSONandgatechargeformostofthesynchronousbuckconverterapplications.
TheHFD60N02BmeettheRoHSandGreenProductrequirement,100%EASguaranteedwith
fullfunctionreliabilityapproved.
Features
100%EASGuaranteedExcellentAdv/ateffectdecline
GreenDeviceAvailableAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology
SuperLowGateCharge
ProductSummary
BVDSSRDSONID
20V6.3mΩ60A
TO-252PinConfiguration
16
第页共页深圳市黑锋科技有限公司
HFD60N02B
N-Ch20VFastSwitchingMOSFETS
ElectricalCharacteristics
TJ25°C,unlessotherwisenoted
SymbolParameterTestConditionMin.Typ.Max.Units
OffCharacteristic
VDrain-SourceBreakdownVoltageV0V,I250μA20--V
(BR)DSSGSD
IDSSZeroGateVoltageDrainCurrentVDS20V,VGS0V,--1.0μA
IGSSGatetoBodyLeakageCurrentVDS0V,VGS±12V--±100nA
OnCharacteristics
VGateThresholdVoltageVV,I250μA0.40.7
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