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HFL12N02
N-Ch20VFastSwitchingMOSFETS
Description
TheHFL12N02isthehighcelldensitytrenchedN-chMOSFETs,whichprovidesexcellent
RDSONandefficiencyformostofthesmallpowerswitchingandloadswitchapplications.
TheHFL12N02meettheRoHSandGreenProductrequirementwithfullfunctionreliability
approved.
Features
GreenDeviceAvailableExcellentAdv/ateffectdecline
SuperLowGateChargeAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology
ProductSummary
BVDSSRDSONID
20V8mΩ12A
SOT23-3PinConfiguration
16
第页共页深圳市黑锋科技有限公司
HFL12N02
N-Ch20VFastSwitchingMOSFETS
ElectricalCharacteristics
TJ25°C,unlessotherwisenoted
SymbolParameterTestConditionMin.Typ.Max.Units
OffCharacteristic
VDrain-SourceBreakdownVoltageV0V,I250μA20--V
(BR)DSSGSD
IDSSZeroGateVoltageDrainCurrentVDS20V,VGS0V,--1.0μA
IGSSGatetoBodyLeakageCurrentVDS0V,VGS±12V--±100nA
OnCharacteristics
VGateThresholdVoltageVV,I250μA0.50.751.2V
GS(th)DS
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