原创力文档- 1、本文档共6页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
HFD30N06
N-Ch60VFastSwitchingMOSFETS
Description
TheHFD30N06isthehighcelldensitytrenchedN-chMOSFETs,whichprovideexcellent
RDSONandgatechargeformostofthesynchronousbuckconverterapplications.
TheHFD30N06meettheRoHSandGreenProductrequirement,100%EASguaranteedwith
fullfunctionreliabilityapproved.
Features
100%EASGuaranteedExcellentAdv/ateffectdecline
GreenDeviceAvailableAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology
SuperLowGateCharge
ProductSummary
BVDSSRDSONID
60V23mΩ30A
TO-252PinConfiguration
16
第页共页深圳市黑锋科技有限公司
HFD30N06
N-Ch60VFastSwitchingMOSFETS
ElectricalCharacteristics
TJ25°C,unlessotherwisenoted
ParameterSymbolTestConditionsMin.Typ.Max.Unit
StaticCharacteristics
V(BR)DS
Drain-SourceBreakdownVoltageVGS0V,ID250µA60--V
S
Gate-BodyLeakageCurrentlGSSVDS0V,VGS±20V--±100nA
TJ25°C--1
ZeroGateVoltageDrainCurrentIDSSVDS60V,VGS0VμA
您可能关注的文档
- AP90N15D深圳恒锐丰科技+90A+150V+TO-252-3L.pdf
- AP90N15NF深圳恒锐丰科技+90A+150V+PDFN5X6-8L.pdf
- AP90N15PT深圳恒锐丰科技+90A+150V+TO220-3L+TO263-3L.pdf
- APE190N15PT深圳恒锐丰科技+190A+150V+TO-220-3L+TO-263-3L.pdf
- AP190N15FPT深圳恒锐丰科技+190A+150V+TO-220F+TO-220-3L+TO-263-3L.pdf
- AP10N15D深圳恒锐丰科技+10A+150V+TO-252-3L.pdf
- AP420N06PT深圳恒锐丰科技+420A+60V+TO-220-3L+TO-263-3L.pdf
- AP200N06NF深圳恒锐丰科技+200A+65V+PDFN5X6-8L.pdf
- APG20N06S深圳恒锐丰科技+20A+60V+SOP-8L.pdf
- AP20N06D深圳恒锐丰科技+28A+60V+TO-252-3L.pdf
文档评论（0）