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AP240N08PIT
85VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP240N08P/TusesadvancedAPM-SGTIItechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas10V.
ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=85VI=240A
DSD
RDS(ON)2.4mΩVGS=10V(Type:1.9mΩ)
Application
Batteryprotection
Loadswitch
Uninterruptiblepowersupply
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
AP240N08PTO-220-3LAP240N08PXXXYYYY1000
AP240N08TTO-263-3LAP240N08TXXXYYYY800
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C
SymbolParameterRatingUnits
VDSDrain-SourceVoltage85V
VGSGate-SourceVoltage±20V
ID@TC=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V240A
ID@TC=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V171A
IDMPulsedDrainCurrent1080A
EASSinglePulseAvalancheEnergy625mJ
PD@
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