APG20N06S深圳恒锐丰科技+20A+60V+SOP-8L.pdf

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APG20N06S

60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAPG20N06SusesadvancedAPM-SGTⅠtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=60VI20A

DSD

RDS(ON)10mΩ@VGS=10V(Type：7.5mΩ)

Application

Batteryprotection

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

APG20N06SSOP-8LAPG20N06SXXXYYYY3000PCS

AbsoluteMaximumRatings@T=25C(unlessotherwisespecified)

SymbolParameterValueUnit

VDSDrainsourcevoltage60V

VGSGatesourcevoltage±20V

I@T=25℃Continuousdraincurrent20A

I@T=70℃Continuousdraincurrent11A

IDMPulseddraincurrent60A

P@T=25℃Powerdissipation

专注MOS

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