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AP15P06DF
-60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP15P06DFusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=-60VI-15A
DSD
RDS(ON)85mΩ@VGS=10V(Type：68mΩ)
Application
Brushlessmotor
Loadswitch
Uninterruptiblepowersupply
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
AP15P06DFPDFN3*3-8LAP15P06DFXXXXYYYY5000
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C
SymbolParameterRatingUnits
VDSDrain-SourceVoltage-60V
VGSGate-SourceVoltage±20V
1
I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@-10V-15A
DC
1
I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@-10V-8.3A
DC
2
IDM
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