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AGM218MAP
●GeneralDescription
TheAGM218MAPcombinesadvancedtrenchProductSummary
MOSFETtechnologywithalowresistance
packagetoprovideextremelylowRDS(ON).
BVDSSRDSONID
Thisdeviceisidealforloadswitchandbattery
protectionapplications.20V16mΩ20A
●Features
-20V24mΩ-19A
■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology
■LowRDS(ON)tominimizeconductivelossPDFN3.3*3.3PinConfiguration
■LowGateChargeforfastswitching
■LowThermalresistance
■100%Avalanchetested
■100%DVDStested
●Application
■MB/VGAVcore
■SMPSnd
2SynchronousRectifier
■POLapplication
■BLDCMotordriver
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity
AGM218MAPAGM218MAPPDFN3.3*3.3330mm12mm5000
Table1.AbsoluteMaximumRatings(TA25℃)
Rating
SymbolParameterN-ChP-ChUnits
VDSDrain-SourceVoltage(VGS0V）20-20V
Gate-SourceVoltage(V0V)V
VGSDS±12±12
DrainCurrent-Continuous(TC25℃)(Note1)
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