AP300N10T深圳恒锐丰科技+300A+100V+TO-263-3L.pdf

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AP300N10T

100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP300N10TusesadvancedAPM-SGTⅠⅠtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas10V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=100VI300A

DSD

RDS(ON)2.2mΩ@VGS=10V(Type：1.6mΩ)

Application

DC/DCConverter

LEDBacklighting

PowerManagementSwitches

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP300N10TTO-263-3LAP300N10TXXXYYYY800

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage100V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V300A

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V210A

IDMPulsedDrainCurrent1248A

EASSinglePulseAvalancheEnergy2340mJ

IASAvalancheCurrent

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