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AP90N15D
150VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP90N15DusesadvancedAPM-SGTIItechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas10V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=150VI90A
DSD
RDS(ON)18mΩ@VGS=10V(Type:16mΩ)
Application
Automativelighting
Loadswitch
Uninterruptiblepowersupply
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
AP90N15DTO-252-3LAP90N15DXXXYYYY2500
AbsoluteMaximumRatings(TC=25℃unlessotherwisenoted)
SymbolParameterRatingUnits
VDSDrain-SourceVoltage150V
VGSGate-SourceVoltage±20V
I@T=25℃DrainCurrent,VGS@10V90A
DC
I@T=100℃DrainCurrent,VGS@10V56A
DC
PulsedDrainCurrent1240A
IDM
EASSinglepulsedavalancheenergy280mJ
P@T=25℃TotalPowerDissipation
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