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AP120N08MP
80VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP120N08MPusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas10V.
ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=80VI120A
DSD
RDS(ON)5.2mΩVGS10V
Application
Batteryprotection
Loadswitch
Uninterruptiblepowersupply
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
AP120N08MPTO-247-3LAP120N08MPXXXYYYY1000
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C
SymbolParameterRatingUnits
VDSDrain-SourceVoltage80V
VGSGate-SourceVoltage±20V
ID@TC=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V120A
ID@TC=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V100A
IDMPulsedDrainCurrent480A
EASSinglePulseAvalancheEnergy560mJ
IASAvalancheCurrent53.4A
PD@TC=25℃
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