AP120N08FPT深圳恒锐丰科技+120A+80V+TO220F-3L+TO220-3L+TO263-3L.pdf

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AP120N08FIPIT

85VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP120N08F/P/TusesadvancedAPM-SGTItechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas10V.

ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=85VI=120A

DSD

RDS(ON)5.2mΩVGS=10V（Type：4.2mΩ）

Application

Batteryprotection

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP120N08FTO-220F-3LAP120N08FXXXYYYY1000

AP120N08PTO-220-3LAP120N08PXXXYYYY1000

AP120N08TTO-263-3LAP120N08TXXXYYYY800

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage85V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V120A

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V100A

IDMPulsedDrainCurrent480

专注MOS

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