AP80P06D深圳恒锐丰科技+++-80A+-60V++TO-252.pdf

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AP80P06D

-60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP80P06Dusesadvancedtrenchtec

hnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas6V.This

deviceissuitableforuseasa

BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

VDS=-60VID=-80A

R11mΩ@V=-10V(Type：9m

DS(ON)GSΩ)

Application

Lithiumbatteryprotection

Wirelessimpact

Mobilephonefastcharging

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP80P06DTO-252-3LAP80P06DXXXYYYY2500

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage-60V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,-VGS@-10V-80A

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,-VGS@-10V

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