AP3V02BF深圳恒锐丰科技+-3.0A+-20V+QFN2X2-6L.pdf

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AP3V02BF

-20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP3V02BFusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas2.5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=-20VI-3.0A

DSD

RDS(ON)110mΩ@VGS-4.5V(Type：90mΩ)

Application

Batteryprotection

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP3V02BFQFN2X2-6LAP3V02BFXXXYYYY3000

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage-20V

VGSGate-SourceVoltage±12V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,V@-4.5V1-3.0A

DAGS

I@T=70℃ContinuousDrainCurrent,V@-4.5V1-1.9A

DAGS

IDMPulsedDrainCurrent2-12.4A

P@T=25℃TotalPowerDissipa

专注MOS

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