AP50P06PT深圳恒锐丰科技+-58A+-60V++TO-220-3L++TO-263-3L.pdf

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AP50P06PIT

-60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP50P06P/Tusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=-60VI-58A

DSD

RDS(ON)16mΩ@VGS-10V(Type:12mΩ)

Application

Lithiumbatteryprotection

Wirelessimpact

Mobilephonefastcharging

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP50P06PTO-220-3LAP50P06PXXXYYYY1000

AP50P06PTO-263-3LAP50P06TXXXYYYY800

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

C

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage-60V

VGSGate-SourceVoltage±20V

1

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,-VGS@-10V-58A

DC

1

I@T=100℃

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