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AP220N03PIT
30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP220N03P/Tusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=30VI220A
DSD
RDS(ON)2.2mΩ@VGS=10V（Type：1.8mΩ）
Application
Batteryprotection
Loadswitch
Uninterruptiblepowersupply
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
AP220N03PTO-220-3LAP220N03PXXXXYYYY1000
AP220N03TTO-263-3LAP220N03TXXXXYYYY800
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C
SymbolParameterRatingUnits
VDSDrain-SourceVoltage30V
VGSGate-SourceVoltage±20V
1
I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V220A
DC
1
I@T75℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V
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