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AP2305MI-L
-20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP2305MI-Lusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=-20VI-6.2A
DSD
RDS(ON)36mΩ@VGS-4.5V(Type：31mΩ)
Application
Batteryprotection
Loadswitch
Uninterruptiblepowersupply
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
AP2305BISOT23LA5SHB.3000
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C
SymbolParameterRatingUnits
VDSDrain-SourceVoltage-20V
VGSGate-SourceVoltage±12V
I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@-4.5V1-6.2A
DA
I@T=70℃ContinuousDrainCurrent,VGS@-4.5V1-5.1A
DA
IDMPulsedDrainCurrent2-36A
P@T=25℃TotalPowerDissipation34.31W
DA
P
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