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AP2N02AK
20VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP2N02AKusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas2.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=20VI2.2A
DSD
RDS(ON)55mΩ@VGS=10V（Type：42mΩ）
Application
Batteryprotection
Loadswitch
Uninterruptiblepowersupply
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
AP2N02AKSOT523-3L2N02AK3000
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C
SymbolParameterRatingUnits
VDSDrain-SourceVoltage20V
VGSGate-SourceVoltage±12V
1
I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@4.5V2.2A
DA
1
I@T=70℃ContinuousDrainCurrent,VGS@4.5V1.1A
DA
2
IDM
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