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AP2301MI-L
-20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP2301MI-Lusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=-20VI-3.2A
DSD
RDS(ON)125mΩ@VGS-4.5V(Type：95mΩ)
Application
Batteryprotection
Loadswitch
Uninterruptiblepowersupply
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
AP2301MI-LSOT23-3L2301M-LAP3000
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C
SymbolParameterRatingUnits
VDSDrain-SourceVoltage-20V
VGSGate-SourceVoltage±12V
I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@-4.5V1-3.2A
DA
I@T=70℃ContinuousDrainCurrent,VGS@-4.5V1-1.8A
DA
IDMPulsedDrainCurrent2-9.4A
P@T=25℃TotalPowerDissipation31.3W
DA
P
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