5238-2019 锗单晶和锗单晶片.docxVIP

I

GB/T5238—2019

前言

本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。

本标准代替GB/T5238—2009《锗单晶和锗单晶片》。与GB/T5238—2009相比，除编辑性修改外主要技术变化如下：

——修订了标准适用范围，将“外延衬底”改为“红外光学部件”(见第1章，2009年版的第1章);

——规范性引用文件中删除了GB/T1552、GB/T5254,增加了GB/T1555、GB/T14264、

GB/T14844、GB/T26074(见第2章，2009年版的第2章);——增加了术语和定义(见第3章);

——修订了牌号表示方法(见4.1,2009年版的3.2);——增加了非掺杂锗单晶的要求(见第4章);

——断面电阻率不均匀度改为径向电阻率变化，并修订了其要求(见4.2.3,2009年版的3.3.1.1);——修订了电阻率小于1.0Ω·cm锗单晶的少数载流子寿命要求(见4.2.4,2009年版的3.3.1.2);——修订了锗单晶晶体完整性的要求(见4.2.6.1,2009年版的3.3.1.4);

——修订了直径10mm～100mm锗单晶的直径相对允许偏差的要求(见4.2.7,2009年版的3.3.2.1);——增加了直径大于100mm锗单晶的要求(见4.2.7);

——删除了长度的要求(见2009年版的3.3.2.1);——增加了锗单晶表面质量的要求(见4.2.8);

——修订了锗单晶片几何参数的要求(见4.3.2,2009年版的3.3.2.2);——修订了锗单晶片表面质量的要求(见4.3.3,2009年版的3.3.3);

——修订了组批、检验项目、取样及检验结果的判定(见第6章，2009年版的第5章)。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。

本标准起草单位：中锗科技有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、广东先导稀材股份有限公司、有色金属技术经济研究院、北京合能阳光新能源技术有限公司。

本标准主要起草人：柯尊斌、刘新军、惠峰、朱刘、尹士平、杨素心、肖宗镛。本标准所代替标准的历次版本发布情况为：

——GB/T5238—1985、GB/T5238—1995、GB/T5238—2009;——GB/T15713—1995。

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GB/T5238—2019

锗单晶和锗单晶片

1范围

本标准规定了锗单晶和锗单晶片的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单(或合同)内容。

本标准适用于制备半导体器件、激光器组件、红外光学部件用的锗单晶和锗单晶片。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T1553硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T1555半导体单晶晶向测定方法

GB/T2828.1—2012计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划

GB/T5252锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法GB/T14264半导体材料术语

GB/T14844半导体材料牌号表示方法

GB/T26074锗单晶电阻率直流四探针测量方法

3术语和定义

GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。

4要求

4.1牌号

锗单晶和锗单晶片的牌号表示应符合GB/T14844的规定。

4.2锗单晶

4.2.1导电类型

锗单晶的导电类型分N型、P型两种。

4.2.2电阻率

锗单晶的电阻率应符合表1的规定。

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GB/T5238—2019

表1

导电类型

掺杂剂

电阻率p(23℃±0.5℃)Ω·cm

P型

Ga

0.001～45.0

In

0.001～45.0

Au+Ga(In)

0.5～5.0

N型

Sb

0.001～45.0

非掺杂

35.0～50.0

4.2.3径向电阻率变化

锗单晶的径向电阻率变化应符合表2的规定。

表2

直径dmm

径向电阻率变化(绝对值)

10≤d50

≤10%

50≤≤d100

≤15%

100≤d150

≤20%

150≤d200

≤25%

200≤d≤300

≤30%

注