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AP100N03AD
30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP100N03ADusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=30VI100A
DSD
RDS(ON)6.0mΩ@VGS=10V（Type：4.8mΩ）
Application
Batteryprotection
Loadswitch
Uninterruptiblepowersupply
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
AP100N03ADTO-252-3LAP100N03ADXXXXYYYY2500
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C
SymbolParameterRatingUnits
VDSDrain-SourceVoltage30V
VGSGate-SourceVoltage±20V
1
I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V100A
DC
1
I@T75℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V59A
DC
2
IDM
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