AP10N03LS深圳恒锐丰科技+10.3A+30V+SOP-8L11.pdf

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AP10N03LS

30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP10N03LSusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas2.5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotectionor

inotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=30VI10.3A

DSD

RDS(ON)28mΩ@VGS4.5V（Type：20mΩ）

RDS(ON)30mΩ@VGS3.3V（Type：23mΩ）

RDS(ON)33mΩ@VGS2.5V（Type：25mΩ）

Application

3.3VMCU

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP10N03LSSOP-8LAP10N03LSXXXYYYY3000

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage30V

VGSGate-SourceVoltage±12V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent10.3A

I@T=70℃ContinuousDrainCurrent7.7A

IDMPulsedDra

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