AP60N03FTP深圳恒锐丰科技+60A+30V+TO-220F+TO-220+TO-263-3L116.pdf

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AP60N03FITIP

30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP60N03F/T/Pusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=30VI=60A

DSD

RDS(ON)8.5mΩ@VGS=10V（Type：6.0mΩ）

Application

BLDC

Wirelessimpact

Mobilephonefastcharging

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP60N03FTO-220-3LAP60N03FXXXYYYY1000

AP60N03TTO-263-3LAP60N03TXXXYYYY800

AP60N03PTO-220-3LAP60N03PXXXYYYY1000

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage30V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V60A

专注MOS

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