模拟电子技术基础：第二章 半导体二极管及其基本电路.ppt

电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础－－－－－－－－－－－－－－－+++++++++++++++变薄＋－内电场外电场P区N区IFVFI：扩散电流内电场被削弱，多子的扩散加强，形成较大的扩散电流I。小结PN结加正向电压时导通电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础动画演示内外电场方向相反，故势垒降低，有利于扩散运动的进行。PN结加正向电压时导通电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础外加反向电压即电源的正极接N区，负极接P区。PN结的这种接法称为反向接法或反向偏置（简称反偏）。电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础PN结加反向电压时截止－－－－－－－－－－－－－－－+++++++++++++++空间电荷区＋－内电场外电场P区N区少子电子少子空穴VR漂移运动电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础－－－－－－－－－－－－－－－+++++++++++++++＋－内电场外电场P区N区VR变厚IRI：漂移电流反向电流温度一定时，反向电流IR趋于恒定值，称为反向饱和电流IS。PN结加反向电压时截止电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础－－－－－－－－－－－－－－－+++++++++++++++＋－内电场外电场P区N区VR变厚IRI：漂移电流小结内电场被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移加强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电流IR。PN结加反向电压时截止电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础动画演示内外电场方向相同，故势垒升高，有利于漂移运动的进行。PN结加反向电压时截止电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础归纳：PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻，PN结导通；PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，PN结截止。在于它的耗尽层的存在，且其宽度随外加电压而变化。关键这就是PN结的单向导电性。电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础PN结V-I特性的表达式iD/mAVBRvD/ViD=-IS＋－＋－式中：iD:通过PN结的电流；vD:PN结两端的外加电压；VT:温度的电压当量，在常温(300K)下，VT≈26mV；IS:反向饱和电流IFIR(μA)电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础iD/mAVBRvD/ViD=-IS＋－＋－IFIR(μA)当加正向电压时：vD为正值，表达式等效成：当加反向电压时：vD为负值，表达式等效成：常数指数关系PN结V-I特性的表达式电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础iD/mAVBRvD/ViD=-IS＋－＋－IFIR(μA)PN结的反向击穿：反向击穿电压反向击穿电击穿热击穿雪崩击穿齐纳击穿可逆不可逆PN结V-I特性的表达式电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础2.3半导体二极管一.半导体二极管的结构二极管的几种常见外形电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础二极管的几种常见结构二极管的符号(a)点接触型(b)面接触型(c)集成电路中的平面型ak【Anode】【Cathode】电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础几种常见二极管实物图触发二极管开关二极管电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础半导体二极管的型号国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：2AP9用数字代表同类器件的不同规格代表器件的类型，P为普通管，Z为整流管，K为开关管。代表器件的材料，A为N型Ge，B为P型Ge，C为N型Si，D为P型Si。2代表二极管，3代表三极管电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础二.二极管的V-I特性VthV（BR）vD/ViD/mAiD/μA硅管约为0.5V锗管约为0.1V它的大小与二极管的材料及温度等因素有关。两点说明：①关于死区电压门槛电压（或称死区电压）（或称开启电压）电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础VthV（BR）vD/ViD/mAiD/μA两点说明：①关于死区电压②与温度的关系在环境温度升高时，二极管的正向特性曲线将左移，反向特性曲线下移。二极管的特性对温度很敏感。二.二极管的V-I特性电子技术基础精品课