AP200N03NF深圳恒锐丰科技+200A+30V+PDFN5X6-8L33.pdf

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AP200N03NF

30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP200N03NFusesadvancedAPM-SGTVtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=30VI200A

DSD

RDS(ON)1.0mΩ@VGS=10V（Type：0.8mΩ）

Application

Buck

Boost

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP200N03NFPDFN5*6-8LAP200N03NFXXXYYYY5000

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterMax.Units

VDSSDrain-SourceVoltage30V

VGSSGate-SourceVoltage±20V

ID@TC=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V1200A

ID@TC=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V1185A

IDMPulsedDrainCurrent1012A

EASSinglePulsedAvalancheEnergy745mJ

IASAvalancheCurrent57A

PD@TC=25℃PowerDissipation

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